1. Объединенный институт проблем информатики Минск, Сурганова, 6
2. Институт математики НАН Беларуси

УДК: 519.6: 621.382

Реферат:

Рассматривается модель создания активных областей элементов интегральных схем по-средством термической диффузии примесей в полупроводниках. Модель учитывает нелинейность, многомерность процесса, влияние на диффузию точечных дефектов, кластерообразование, мигра-цию электронов. Предлагаются алгоритмы численного решения системы дифференциальных уравне-ний, которые основаны на применении специализированных конечно-разностных методов и эффек-тивны при программной реализации на параллельных вычислительных системах.