УДК: 621.3.049.77

Реферат:

Работа посвящена исследованию зонной структуры в кристаллах с ре-шеткой халькопирита. Интерес к данному классу соединений обусловлен ши-роким кругом их практического использования, например, в качестве рабочих материалов для изготовления диодов, фотодетекторов, источников света, а также создания нелинейных оптических устройств. Цель работы заключается в адаптации известных методов исследования структур различных материалов к исследованию материалов со структурой халькопирита. Для этих целей впервые применен метод подрешеток. Основ-ные расчеты электронной структуры кристаллов АВС2 выполнены в локальном приближении теории функционала плотности. Для представления решений уравнений Кона-Шэма использован базис псевдоатомных орбиталей, который в расчетах включал минимальный базис из s-функций на атомах катионов второй группы (атомы А), а также spd-орбитали на атомах B и С. Работа ориентирована на специалистов, изучающих кристаллические решетки сложных соединений, используемых в электрооптической и электронной промышленности.