УДК: 621.315.592

Реферат:

Рассмотрены особенности и проблемы приборов энергонезависимой памяти на основе «плавающих» затворов. Показано, что альтернативным вариантом является использование в качестве элементов хранения информации нанокристаллов Ge, встроенных в затвор МОП-транзистора и расположенных на расстоянии туннелирования от области канала. Проведено исследование начальных стадий роста слоев сплавов Si1-xGex и уточнение механизма формирования нанокристаллов Ge, инкорпорированных в оксид кремния. Показано, что формирование нанокристаллов Ge происходит за счет сегрегационного оттеснения атомов Ge фронтом окисления и по границам зёрен при термическом окислении слоя сплава Si1-хGeх, полученного химическим осаждением из газовой фазы. Получены МОП структуры с нанокристаллами Ge, обладающие гистерезисом вольт-фарадных характеристик 1,7 – 1,8 В и плотностью токов утечки (1,5 – 2,2)10-16 А/мкм2.